Nambari ya Sehemu :
2N7635-GA
Mzalishaji :
GeneSiC Semiconductor
Maelezo :
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Hali ya Sehemu :
Obsolete
Teknolojia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
650V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc) (165°C)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
-
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
415 mOhm @ 4A
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
324pF @ 35V
Kuondoa Nguvu (Max) :
47W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
TO-257
Kifurushi / Kesi :
TO-257-3