Nambari ya Sehemu :
IPN60R1K0CEATMA1
Mzalishaji :
Infineon Technologies
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
600V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
6.8A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
10V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 100V
Kuondoa Nguvu (Max) :
5W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
PG-SOT223
Kifurushi / Kesi :
SOT-223-3