Nambari ya Sehemu :
SIA445EDJT-T1-GE3
Mzalishaji :
Vishay Siliconix
Maelezo :
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
20V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
2.5V, 4.5V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
16.7 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
2180pF @ 10V
Kuondoa Nguvu (Max) :
19W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Kifurushi / Kesi :
PowerPAK® SC-70-6