Nambari ya Sehemu :
IGO60R070D1AUMA1
Mzalishaji :
Infineon Technologies
Maelezo :
IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Teknolojia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
600V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
-
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
Kuondoa Nguvu (Max) :
125W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
PG-DSO-20-85
Kifurushi / Kesi :
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)