Nambari ya Sehemu :
GA08JT17-247
Mzalishaji :
GeneSiC Semiconductor
Maelezo :
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Teknolojia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
1700V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc) (90°C)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
-
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 8A
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Kuondoa Nguvu (Max) :
48W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
175°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
TO-247AB
Kifurushi / Kesi :
TO-247-3