Nambari ya Sehemu :
GA10JT12-263
Mzalishaji :
GeneSiC Semiconductor
Maelezo :
TRANS SJT 1200V 25A
Teknolojia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
1200V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
-
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 10A
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
1403pF @ 800V
Kuondoa Nguvu (Max) :
170W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
175°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
-