Nambari ya Sehemu :
FDC365P
Mzalishaji :
ON Semiconductor
Maelezo :
MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
35V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
4.5V, 10V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
705pF @ 20V
Kuondoa Nguvu (Max) :
1.6W (Ta)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
SuperSOT™-6
Kifurushi / Kesi :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6