Nambari ya Sehemu :
SI4833BDY-T1-GE3
Mzalishaji :
Vishay Siliconix
Maelezo :
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
Hali ya Sehemu :
Obsolete
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
30V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
4.6A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
4.5V, 10V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
68 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 15V
Makala ya FET :
Schottky Diode (Isolated)
Kuondoa Nguvu (Max) :
2.75W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
8-SOIC
Kifurushi / Kesi :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)