Nambari ya Sehemu :
SI7190DP-T1-GE3
Mzalishaji :
Vishay Siliconix
Maelezo :
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
250V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
18.4A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
6V, 10V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
118 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
2214pF @ 125V
Kuondoa Nguvu (Max) :
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
PowerPAK® SO-8
Kifurushi / Kesi :
PowerPAK® SO-8