Nambari ya Sehemu :
SIHB33N60EF-GE3
Mzalishaji :
Vishay Siliconix
Maelezo :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
600V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
33A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
10V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
3454pF @ 100V
Kuondoa Nguvu (Max) :
278W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
D²PAK (TO-263)
Kifurushi / Kesi :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB