Nambari ya Sehemu :
IRFPE30PBF
Mzalishaji :
Vishay Siliconix
Maelezo :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
800V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
10V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Kuondoa Nguvu (Max) :
125W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
TO-247-3
Kifurushi / Kesi :
TO-247-3