Nambari ya Sehemu :
PHD3055E,118
Mzalishaji :
NXP USA Inc.
Maelezo :
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
Hali ya Sehemu :
Obsolete
Teknolojia :
MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
60V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
10.3A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
10V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Kuondoa Nguvu (Max) :
33W (Tc)
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
DPAK
Kifurushi / Kesi :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63