Nambari ya Sehemu :
SI4916DY-T1-E3
Mzalishaji :
Vishay Siliconix
Maelezo :
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Hali ya Sehemu :
Obsolete
Aina ya FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Makala ya FET :
Logic Level Gate
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
30V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
10A, 10.5A
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Joto la Kufanya kazi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
8-SO