Ikiwa eneo lako halijaorodheshwa, tafadhali chagua moja ya yafuatayo:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ikiwa eneo lako halijaorodheshwa, tafadhali chagua moja ya yafuatayo:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Nyumbani
  2. Bidhaa
  3. Bidhaa za Semiconductor za Disc
  4. Transistors - FET, MOSFETs - Moja
  5. EPC2019

EPC - EPC2019

KEY Part #: K6417174

EPC2019 Bei (USD) [53015pcs Hisa]

  • 1 pcs$0.81534
  • 1,000 pcs$0.81128
Nambari ya Sehemu:
EPC2019
Mzalishaji:
EPC
Maelezo ya kina:
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Katika hisa
Maisha ya rafu:
Mwaka mmoja
Chip Kutoka:
Hong Kong
RoHS:
Njia ya malipo:
Njia ya usafirishaji:
Jamii Jamii:
VITAMBUZI VYA Co, LTD ni Msambazaji wa Vipengele vya Elektroniki ambavyo hutoa aina za bidhaa pamoja na: Transistors - FET, MOSFETs - Moja, Viwango - Zener - Arrays, Viwango - Rectifiers - Moja, Moduli za Dereva za Nguvu, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Thyristors - DIAC, SIDAC, Transistors - Bipolar (BJT) - Moja and Viwango - Rectifiers - Arrays ...
Faida ya Ushindani:
We specialize in EPC EPC2019 electronic components. EPC2019 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2019, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2019 Sifa za Bidhaa

Nambari ya Sehemu : EPC2019
Mzalishaji : EPC
Maelezo : GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Mfululizo : eGaN®
Hali ya Sehemu : Active
Aina ya FET : N-Channel
Teknolojia : GaNFET (Gallium Nitride)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) : 200V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C : 8.5A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) : 5V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.5mA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 100V
Makala ya FET : -
Kuondoa Nguvu (Max) : -
Joto la Kufanya kazi : -40°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua : Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji : Die
Kifurushi / Kesi : Die
Unaweza pia Kuvutiwa Na
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

Sehemu za Moto