Nambari ya Sehemu :
EPC2022
Maelezo :
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Teknolojia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) :
100V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C :
60A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) :
5V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 12mA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 50V
Joto la Kufanya kazi :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
Die