Nambari ya Sehemu :
70V3389S5BC8
Mzalishaji :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Maelezo :
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Aina ya kumbukumbu :
Volatile
Fomati ya kumbukumbu :
SRAM
Teknolojia :
SRAM - Dual Port, Synchronous
Saizi ya kumbukumbu :
1.125Mb (64K x 18)
Andika Wakati wa Msaada - Neno, Ukurasa :
-
Maingiliano ya kumbukumbu :
Parallel
Voltage - Ugavi :
3.15V ~ 3.45V
Joto la Kufanya kazi :
0°C ~ 70°C (TA)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
256-LBGA
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
256-CABGA (17x17)