Nambari ya Sehemu :
IS42S32800G-6BI-TR
Mzalishaji :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Maelezo :
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Aina ya kumbukumbu :
Volatile
Fomati ya kumbukumbu :
DRAM
Saizi ya kumbukumbu :
256Mb (8M x 32)
Usafirishaji wa Saa :
166MHz
Andika Wakati wa Msaada - Neno, Ukurasa :
-
Wakati wa Upataji :
5.4ns
Maingiliano ya kumbukumbu :
Parallel
Voltage - Ugavi :
3V ~ 3.6V
Joto la Kufanya kazi :
-40°C ~ 85°C (TA)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
90-TFBGA
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
90-TFBGA (8x13)