Nambari ya Sehemu :
IS61WV12816DBLL-10BLI
Mzalishaji :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Maelezo :
IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA
Aina ya kumbukumbu :
Volatile
Fomati ya kumbukumbu :
SRAM
Teknolojia :
SRAM - Asynchronous
Saizi ya kumbukumbu :
2Mb (128K x 16)
Andika Wakati wa Msaada - Neno, Ukurasa :
10ns
Maingiliano ya kumbukumbu :
Parallel
Voltage - Ugavi :
3V ~ 3.6V
Joto la Kufanya kazi :
-40°C ~ 85°C (TA)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
48-TFBGA
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
48-miniBGA (6x8)