Nambari ya Sehemu :
IS43TR16128C-125KBL-TR
Mzalishaji :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Maelezo :
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
Aina ya kumbukumbu :
Volatile
Fomati ya kumbukumbu :
DRAM
Teknolojia :
SDRAM - DDR3
Saizi ya kumbukumbu :
2Gb (128M x 16)
Usafirishaji wa Saa :
800MHz
Andika Wakati wa Msaada - Neno, Ukurasa :
15ns
Maingiliano ya kumbukumbu :
Parallel
Voltage - Ugavi :
1.425V ~ 1.575V
Joto la Kufanya kazi :
0°C ~ 95°C (TC)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
96-TFBGA
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
96-TWBGA (9x13)