Vishay Siliconix - SI8806DB-T2-E1

KEY Part #: K6421398

SI8806DB-T2-E1 Bei (USD) [518123pcs Hisa]

  • 1 pcs$0.07139
  • 3,000 pcs$0.06743

Nambari ya Sehemu:
SI8806DB-T2-E1
Mzalishaji:
Vishay Siliconix
Maelezo ya kina:
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT.
Manufacturer's standard lead time:
Katika hisa
Maisha ya rafu:
Mwaka mmoja
Chip Kutoka:
Hong Kong
RoHS:
Njia ya malipo:
Njia ya usafirishaji:
Jamii Jamii:
VITAMBUZI VYA Co, LTD ni Msambazaji wa Vipengele vya Elektroniki ambavyo hutoa aina za bidhaa pamoja na: Transistors - FET, MOSFETs - RF, Transistors - JFETs, Viwango - uwezo wa Kubadilika (Varicaps, Varactors, Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Transistors - Ushirikiano uliopangwa, Thyristors - TRIAC, Thyristors - DIAC, SIDAC and Viwango - Zener - Arrays ...
Faida ya Ushindani:
We specialize in Vishay Siliconix SI8806DB-T2-E1 electronic components. SI8806DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8806DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8806DB-T2-E1 Sifa za Bidhaa

Nambari ya Sehemu : SI8806DB-T2-E1
Mzalishaji : Vishay Siliconix
Maelezo : MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Mfululizo : TrenchFET®
Hali ya Sehemu : Active
Aina ya FET : N-Channel
Teknolojia : MOSFET (Metal Oxide)
Kukata kwa Voltage Voltage (Vdss) : 12V
Sasa - Dawa inayoendelea (Id) @ 25 ° C : -
Voltage ya Hifadhi (Njia Mbadala ya Mafuta, Njia Mbichi kwa) : 1.8V, 4.5V
Njia ya Kutumia (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Malango ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Uingizwaji uwezo (Ciss) (Max) @ Vds : -
Makala ya FET : -
Kuondoa Nguvu (Max) : 500mW (Ta)
Joto la Kufanya kazi : -55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuinua : Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji : 4-Microfoot
Kifurushi / Kesi : 4-XFBGA