Nambari ya Sehemu :
MT47H256M4HQ-3:E TR
Mzalishaji :
Micron Technology Inc.
Maelezo :
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Hali ya Sehemu :
Obsolete
Aina ya kumbukumbu :
Volatile
Fomati ya kumbukumbu :
DRAM
Teknolojia :
SDRAM - DDR2
Saizi ya kumbukumbu :
1Gb (256M x 4)
Usafirishaji wa Saa :
333MHz
Andika Wakati wa Msaada - Neno, Ukurasa :
15ns
Wakati wa Upataji :
450ps
Maingiliano ya kumbukumbu :
Parallel
Voltage - Ugavi :
1.7V ~ 1.9V
Joto la Kufanya kazi :
0°C ~ 85°C (TC)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
60-FBGA
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
60-FBGA (8x11.5)