Nambari ya Sehemu :
IS42S32160B-75EBLI-TR
Mzalishaji :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Maelezo :
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
Hali ya Sehemu :
Obsolete
Aina ya kumbukumbu :
Volatile
Fomati ya kumbukumbu :
DRAM
Saizi ya kumbukumbu :
512Mb (16M x 32)
Usafirishaji wa Saa :
133MHz
Andika Wakati wa Msaada - Neno, Ukurasa :
-
Wakati wa Upataji :
5.5ns
Maingiliano ya kumbukumbu :
Parallel
Voltage - Ugavi :
3V ~ 3.6V
Joto la Kufanya kazi :
-40°C ~ 85°C (TA)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
90-TFBGA
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
90-WBGA (11x13)