Nambari ya Sehemu :
70T653MS10BC8
Mzalishaji :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Maelezo :
IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA
Aina ya kumbukumbu :
Volatile
Fomati ya kumbukumbu :
SRAM
Teknolojia :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Saizi ya kumbukumbu :
18Mb (512K x 36)
Andika Wakati wa Msaada - Neno, Ukurasa :
10ns
Maingiliano ya kumbukumbu :
Parallel
Voltage - Ugavi :
2.4V ~ 2.6V
Joto la Kufanya kazi :
0°C ~ 70°C (TA)
Aina ya Kuinua :
Surface Mount
Kifurushi / Kesi :
256-LBGA
Kifurushi cha Kifaa cha Mtoaji :
256-CABGA (17x17)